Modello di prodotti : | QS8J13TR |
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Costruttore / Marca : | LAPIS Semiconductor |
Descrizione : | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 122372 pcs |
Specifiche | 1.QS8J13TR.pdf2.QS8J13TR.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
Contenitore dispositivo fornitore | TSMT8 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
Potenza - Max | 1.25W |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
Altri nomi | QS8J13TRTR QS8J13TRTR-ND |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 6V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1.25W Surface Mount TSMT8 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A |