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QS8J13TR

Modello di prodotti : QS8J13TR
Costruttore / Marca : LAPIS Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 122372 pcs
Specifiche 1.QS8J13TR.pdf2.QS8J13TR.pdf
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore TSMT8
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Potenza - Max 1.25W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead
Altri nomi QS8J13TRTR
QS8J13TRTR-ND
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 12V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1.25W Surface Mount TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A
QS8J13TR
LAPIS Semiconductor LAPIS Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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