| Modello di prodotti : |
QSZ4TR |
| Costruttore / Marca : |
LAPIS Semiconductor |
| Descrizione : |
TRANS NPN/PNP 30V 2A 5TSMT |
| Stato RoHS : |
Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile |
121599 pcs |
| Specifiche |
1.QSZ4TR.pdf2.QSZ4TR.pdf |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) |
30V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic |
370mV @ 75mA, 1.5A |
| Tipo transistor |
NPN, PNP (Emitter Coupled) |
| Contenitore dispositivo fornitore |
TSMT5 |
| Serie |
- |
| Potenza - Max |
1.25W |
| imballaggio |
Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro |
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Altri nomi |
QSZ4CT |
| temperatura di esercizio |
150°C (TJ) |
| Tipo montaggio |
Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione |
280MHz |
| Descrizione dettagliata |
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 30V 2A 280MHz 1.25W Surface Mount TSMT5 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce |
270 @ 200mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) |
100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) |
2A |
| Numero di parte base |
QSZ |
LAPIS Semiconductor
