Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzatoRN1307,LF

RN1307,LF

Modello di prodotti :	RN1307,LF
Costruttore / Marca :	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :	X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	946257 pcs
Specifiche	RN1307,LF.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore	USM
Serie	-
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Potenza - Max	100mW
Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323
Altri nomi	RN1307LF
Tipo montaggio	Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard	16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

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