Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzatoRN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Modello di prodotti :	RN1909FE(TE85L,F)
Costruttore / Marca :	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	390171 pcs
Specifiche	RN1909FE(TE85L,F).pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore	ES6
Serie	-
Resistor - Emitter Base (R2)	22 kOhms
Resistor - Base (R1)	47 kOhms
Potenza - Max	100mW
imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666
Altri nomi	RN1909FE(TE85LF)CT
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

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