Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzatoRN2115MFV,L3F

RN2115MFV,L3F

Modello di prodotti :	RN2115MFV,L3F
Costruttore / Marca :	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :	X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	999976 pcs
Specifiche	RN2115MFV,L3F.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Tipo transistor	PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore	VESM
Serie	-
Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Potenza - Max	150mW
Contenitore / involucro	SOT-723
Altri nomi	RN2115MFVL3F
Tipo montaggio	Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard	16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

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