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RN2910FE,LF(CB

Modello di prodotti : RN2910FE,LF(CB
Costruttore / Marca : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1459077 pcs
Specifiche RN2910FE,LF(CB.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore ES6
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) -
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potenza - Max 100mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666
Altri nomi RN2910FE(T5L,F,T)
RN2910FE(T5LFT)TR
RN2910FE(T5LFT)TR-ND
RN2910FE,LF(CT
RN2910FELF(CBTR
RN2910FELF(CTTR
RN2910FELF(CTTR-ND
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 200MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
RN2910FE,LF(CB
Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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