Modello di prodotti : | RSS070P05FU6TB |
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Costruttore / Marca : | LAPIS Semiconductor |
Descrizione : | MOSFET P-CH 45V 7A 8-SOIC |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 37343 pcs |
Specifiche | RSS070P05FU6TB.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 27 mOhm @ 7A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Altri nomi | RSS070P05FU6TBTR |
temperatura di esercizio | - |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47.6nC @ 5V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 45V |
Descrizione dettagliata | P-Channel 45V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |