Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-matriciSG2823J-DESC

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Modello di prodotti :	SG2823J-DESC
Costruttore / Marca :	Microsemi
Descrizione :	TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5133 pcs
Specifiche	SG2823J-DESC.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	95V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor	8 NPN Darlington
Contenitore dispositivo fornitore	18-CDIP
Serie	-
Potenza - Max	-
imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	-
Altri nomi	1259-1088 1259-1088-MIL 5962-8968501VA SG2823JDESC
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	1000 @ 350mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	-
Corrente - collettore (Ic) (max)	500mA

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