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SI4554DY-T1-GE3

Modello di prodotti :	SI4554DY-T1-GE3
Costruttore / Marca :	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione :	MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	94349 pcs
Specifiche	SI4554DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs	24 mOhm @ 6.8A, 10V
Potenza - Max	3.1W, 3.2W
imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi	Q6600094 SI4554DY-T1-GE3-ND SI4554DY-T1-GE3TR T2178494
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	690pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	40V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8A

Electro-Films (EFI) / Vishay Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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