Modello di prodotti : | SI4922BDY-T1-GE3 |
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Costruttore / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrizione : | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 39052 pcs |
Specifiche | SI4922BDY-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 1.8V @ 250µA |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 16 mOhm @ 5A, 10V |
Potenza - Max | 3.1W |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Altri nomi | SI4922BDY-T1-GE3-ND SI4922BDY-T1-GE3TR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
Numero di parte base | SI4922 |