| Modello di prodotti : | SI5513CDC-T1-GE3 |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione : | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 144369 pcs |
| Specifiche | SI5513CDC-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Potenza - Max | 3.1W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi | SI5513CDC-T1-GE3TR SI5513CDCT1GE3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 285pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 5V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A, 3.7A |
| Numero di parte base | SI5513 |
Electro-Films (EFI) / Vishay
