Modello di prodotti : | SI5903DC-T1-GE3 |
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Costruttore / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrizione : | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 5678 pcs |
Specifiche | SI5903DC-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Contenitore dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
Potenza - Max | 1.1W |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A |
Numero di parte base | SI5903 |