Modello di prodotti : | SI7115DN-T1-E3 |
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Costruttore / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrizione : | MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 26806 pcs |
Specifiche | SI7115DN-T1-E3.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 295 mOhm @ 4A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8 |
Altri nomi | SI7115DN-T1-E3CT |
temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 50V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 150V |
Descrizione dettagliata | P-Channel 150V 8.9A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8.9A (Tc) |