Modello di prodotti : | SI7159DP-T1-GE3 |
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Costruttore / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrizione : | MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8 |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 49306 pcs |
Specifiche | SI7159DP-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 7 mOhm @ 15A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 21 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5170pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 30A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |