| Modello di prodotti : | SI7454CDP-T1-GE3 |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione : | MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8 |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5634 pcs |
| Specifiche | SI7454CDP-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.8V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 30.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Altri nomi | SI7454CDP-T1-GE3TR SI7454CDPT1GE3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 22A (Tc) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Electro-Films (EFI) / Vishay
