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SI7900AEDN-T1-E3

Modello di prodotti : SI7900AEDN-T1-E3
Costruttore / Marca : Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 41224 pcs
Specifiche SI7900AEDN-T1-E3.pdf
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Potenza - Max 1.5W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8 Dual
Altri nomi SI7900AEDN-T1-E3TR
SI7900AEDNT1E3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A
Numero di parte base SI7900
SI7900AEDN-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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