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SIA519EDJ-T1-GE3

Modello di prodotti : SIA519EDJ-T1-GE3
Costruttore / Marca : Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 150991 pcs
Specifiche SIA519EDJ-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Potenza - Max 7.8W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro PowerPAK® SC-70-6 Dual
Altri nomi SIA519EDJ-T1-GE3TR
SIA519EDJT1GE3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A
Numero di parte base SIA519
SIA519EDJ-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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