Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-FET, MOSFET-singoloSQD25N06-22L_T4GE3

SQD25N06-22L_T4GE3

Modello di prodotti :	SQD25N06-22L_T4GE3
Costruttore / Marca :	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione :	MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
Stato RoHS :
quantità disponibile	45031 pcs
Specifiche	SQD25N06-22L_T4GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	TO-252AA
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs	22 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	62W (Tc)
imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1975pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 25A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)

Electro-Films (EFI) / Vishay Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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