| Modello di prodotti : | STB10N60M2 |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | STMicroelectronics |
| Descrizione : | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 30237 pcs |
| Specifiche | STB10N60M2.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK |
| Serie | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 85W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | 497-14528-2 STB10N60M2-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
| Numero di parte base | STB10N60 |
STMicroelectronics
