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STB42N65M5

Modello di prodotti : STB42N65M5
Costruttore / Marca : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4343 pcs
Specifiche STB42N65M5.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK
Serie MDmesh™ V
Rds On (max) a Id, Vgs 79 mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi 497-8769-2
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4650pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 33A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)
STB42N65M5
STMicroelectronics STMicroelectronics Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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