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STF11N65M5

Modello di prodotti : STF11N65M5
Costruttore / Marca : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N CH 650V 9A TO-220FP
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 28707 pcs
Specifiche STF11N65M5.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP
Serie MDmesh™ V
Rds On (max) a Id, Vgs 480 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi 497-13160
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 644pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 9A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
STF11N65M5
STMicroelectronics STMicroelectronics Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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