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STGWT80H65DFB

Modello di prodotti : STGWT80H65DFB
Costruttore / Marca : STMicroelectronics
Descrizione : IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 8385 pcs
Specifiche STGWT80H65DFB.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2V @ 15V, 80A
Condizione di test 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 84ns/280ns
di scambio energetico 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P
Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 85ns
Potenza - Max 469W
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3
Altri nomi 497-14234-5
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT Trench Field Stop
carica gate 414nC
Descrizione dettagliata IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 240A
Corrente - collettore (Ic) (max) 120A
STGWT80H65DFB
STMicroelectronics STMicroelectronics Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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