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STN1N20

Modello di prodotti : STN1N20
Costruttore / Marca : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 25158 pcs
Specifiche STN1N20.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223
Serie MESH OVERLAY™
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.9W (Tc)
imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi 497-3176-6
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 206pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.7nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V
Descrizione dettagliata N-Channel 200V 1A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tc)
STMicroelectronics Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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