| Modello di prodotti : | STP7N65M2 |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | STMicroelectronics |
| Descrizione : | MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 36066 pcs |
| Specifiche | STP7N65M2.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 |
| Serie | MDmesh™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.15 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | 497-15041-5 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
STMicroelectronics
