| Modello di prodotti : | TK20A25D,S5Q(M |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione : | MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4917 pcs |
| Specifiche | 1.TK20A25D,S5Q(M.pdf2.TK20A25D,S5Q(M.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220SIS |
| Serie | π-MOSVII |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi | TK20A25D(Q) TK20A25D(Q)-ND TK20A25DQ TK20A25DS5Q(M |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 250V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 250V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Toshiba Semiconductor and Storage
