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TK28A65W,S5X

Modello di prodotti : TK28A65W,S5X
Costruttore / Marca : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 11408 pcs
Specifiche TK28A65W,S5X.pdf
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 1.6mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220SIS
Serie DTMOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs 110 mOhm @ 13.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi TK28A65W,S5X(M
TK28A65WS5X
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 27.6A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27.6A (Ta)
TK28A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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