| Modello di prodotti : | TK35A08N1,S4X |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione : | MOSFET N-CH 80V 35A TO-220 |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 74154 pcs |
| Specifiche | TK35A08N1,S4X.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 300µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220SIS |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 12.2 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi | TK35A08N1,S4X(S TK35A08N1,S4X-ND TK35A08N1S4X |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 80V 35A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Toshiba Semiconductor and Storage
