Modello di prodotti : | TK7A45DA(STA4,Q,M) |
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Costruttore / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrizione : | MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 24845 pcs |
Specifiche | TK7A45DA(STA4,Q,M).pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 4.4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Serie | π-MOSVII |
Rds On (max) a Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3.3A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
Altri nomi | TK7A45DA(STA4QM) TK7A45DASTA4QM |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 450V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 450V 6.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) |