Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-RFUPA814T-T1-A

UPA814T-T1-A

Modello di prodotti :	UPA814T-T1-A
Costruttore / Marca :	CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizione :	TRANSISTOR NPN FT=9GHZ SOT-36
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5988 pcs
Specifiche	UPA814T-T1-A.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	6V
Tipo transistor	2 NPN (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore	6-SO
Serie	-
Potenza - Max	200mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Di rumore (dB tip @ f)	1.5dB @ 2GHz
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Guadagno	-
Frequenza - transizione	9GHz
Descrizione dettagliata	RF Transistor 2 NPN (Dual) 6V 100mA 9GHz 200mW Surface Mount 6-SO
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 3mA, 1V
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA
Numero di parte base	UPA814

CEL (California Eastern Laboratories) Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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