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VQ1006P-2

Modello di prodotti : VQ1006P-2
Costruttore / Marca : Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione : MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Stato RoHS : Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 4981 pcs
Specifiche VQ1006P-2.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore 14-DIP
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5 Ohm @ 1A, 10V
Potenza - Max 2W
imballaggio Tube
Contenitore / involucro -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Tipo FET 4 N-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 90V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 400mA
Electro-Films (EFI) / Vishay Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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