Modello di prodotti : | VQ1006P-2 |
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Costruttore / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrizione : | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP |
Stato RoHS : | Contiene piombo / RoHS non conforme |
quantità disponibile | 4981 pcs |
Specifiche | VQ1006P-2.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
Contenitore dispositivo fornitore | 14-DIP |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
Potenza - Max | 2W |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Tipo FET | 4 N-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione drain-source (Vdss) | 90V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA |