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ZXMN3G32DN8TA

Modello di prodotti : ZXMN3G32DN8TA
Costruttore / Marca : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 57007 pcs
Specifiche ZXMN3G32DN8TA.pdf
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 28 mOhm @ 6A, 10V
Potenza - Max 1.8W
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi 1034-ZXMN3G32DN8CT
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 472pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A
ZXMN3G32DN8TA
Diodes Incorporated Diodes Incorporated Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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