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Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-matriciZXTC2062E6TA

ZXTC2062E6TA

Modello di prodotti :	ZXTC2062E6TA
Costruttore / Marca :	Diodes Incorporated
Descrizione :	TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	85540 pcs
Specifiche	ZXTC2062E6TA.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
Tipo transistor	NPN, PNP
Contenitore dispositivo fornitore	SOT-26
Serie	-
Potenza - Max	1.1W
imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	SOT-23-6
Altri nomi	ZXTC2062E6DKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	215MHz, 290MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 20V 4A, 3.5A 215MHz, 290MHz 1.1W Surface Mount SOT-26
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	50nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	4A, 3.5A
Numero di parte base	Z2062

Diodes Incorporated

Diodes Incorporated Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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