| Modello di prodotti : | DTB543EMT2L |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione : | TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 405572 pcs |
| Specifiche | 1.DTB543EMT2L.pdf2.DTB543EMT2L.pdf |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 12V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | VMT3 |
| Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Potenza - Max | 150mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-723 |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 260MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 115 @ 100mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 500mA |
| Numero di parte base | DTB543 |
LAPIS Semiconductor
