| Modello di prodotti : | DTB743EETL |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione : | TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 508561 pcs |
| Specifiche | DTB743EETL.pdf |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 30V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | EMT3 |
| Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Potenza - Max | 150mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SC-75, SOT-416 |
| Altri nomi | DTB743EETL-ND DTB743EETLTR |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 260MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 115 @ 100mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 200mA |
| Numero di parte base | DTB743 |
LAPIS Semiconductor
