Modello di prodotti : | FDME430NT |
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Costruttore / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrizione : | MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6 |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 4319 pcs |
Specifiche | FDME430NT.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 40 mOhm @ 6A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 6-PowerUFDFN |
Altri nomi | FDME430NT-ND FDME430NTTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 6A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |