| Modello di prodotti : | FDME910PZT |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione : | MOSFET P CH 20V 8A MICROFET |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 98696 pcs |
| Specifiche | FDME910PZT.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 24 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 6-PowerUFDFN |
| Altri nomi | FDME910PZTCT |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 39 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2110pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
