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MMIX1F230N20T

Modello di prodotti : MMIX1F230N20T
Costruttore / Marca : IXYS Corporation
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1056 pcs
Specifiche MMIX1F230N20T.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 24-SMPD
Serie GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
Rds On (max) a Id, Vgs 8.3 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro 24-PowerSMD, 21 Leads
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 378nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V
Descrizione dettagliata N-Channel 200V 168A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 168A (Tc)
IXYS Corporation Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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