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MMIX1G320N60B3

Modello di prodotti : MMIX1G320N60B3
Costruttore / Marca : IXYS Corporation
Descrizione : MOSFET N-CH
Stato RoHS :
quantità disponibile 854 pcs
Specifiche MMIX1G320N60B3.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 1.5V @ 15V, 100A
Condizione di test 480V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 44ns/250ns
di scambio energetico 2.7mJ (on), 5mJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore 24-SMPD
Serie GenX3™
Tempo di ripristino inverso (trr) 66ns
Potenza - Max 1000W
Contenitore / involucro 24-PowerSMD, 21 Leads
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks
Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT PT
carica gate 585nC
Descrizione dettagliata IGBT PT 600V 400A 1000W Surface Mount 24-SMPD
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 1000A
Corrente - collettore (Ic) (max) 400A
IXYS Corporation Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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