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NTB5405NT4G

Modello di prodotti : NTB5405NT4G
Costruttore / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 21937 pcs
Specifiche NTB5405NT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 5.8 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 150W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi NTB5405NT4GOSCT
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 25 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 32V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V
Descrizione dettagliata N-Channel 40V 116A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 116A (Tc)
NTB5405NT4G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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