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NTB5426NT4G

Modello di prodotti : NTB5426NT4G
Costruttore / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5187 pcs
Specifiche NTB5426NT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 6 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 215W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 120A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
NTB5426NT4G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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