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SCT3120ALGC11

Modello di prodotti : SCT3120ALGC11
Costruttore / Marca : LAPIS Semiconductor
Descrizione : MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5101 pcs
Specifiche 1.SCT3120ALGC11.pdf2.SCT3120ALGC11.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5.6V @ 3.33mA
Vgs (Max) +22V, -4V
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247N
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 156 mOhm @ 6.7A, 18V
Dissipazione di potenza (max) 103W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 500V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 18V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
SCT3120ALGC11
LAPIS Semiconductor LAPIS Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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