| Modello di prodotti : | SCT3160KLGC11 |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione : | MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 3904 pcs |
| Specifiche | 1.SCT3160KLGC11.pdf2.SCT3160KLGC11.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 5.6V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247N |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 208 mOhm @ 5A, 18V |
| Dissipazione di potenza (max) | 103W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 398pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 18V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 1200V 17A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
LAPIS Semiconductor
