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MMIX2F60N50P3

Modello di prodotti : MMIX2F60N50P3
Costruttore / Marca : IXYS Corporation
Descrizione : MOSFET N-CH
Stato RoHS :
quantità disponibile 1131 pcs
Specifiche MMIX2F60N50P3.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA
Contenitore dispositivo fornitore 24-SMPD
Serie HiPerFET™, Polar3™
Rds On (max) a Id, Vgs 110 mOhm @ 30A, 10V
Potenza - Max 320W
Contenitore / involucro 24-SMD Module, 9 Leads
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard 32 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6250pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 500V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 30A (Tc) 320W Surface Mount 24-SMPD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
IXYS Corporation Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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